K波段BAW器件技术研究
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

基金项目:

国家科技部重点研发计划项目资助

伦理声明:



Study on K Band BAW Device Technology
Author:
Ethical statement:

Affiliation:

Funding:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
    摘要:

    通过优化高频换能器设计、极薄压电薄膜制备等技术,试制出了K波段BAW延迟线样品。其工作中心频率为23.8 GHz,插入损耗为51.9 dB,带宽为1 122 MHz,延迟时间为299 ns,直通抑制为29 dB,3次渡越抑制为40 dB。

    Abstract:

    By optimizing the high frequency transducer design and extra thin piezoelectric film preparation technique, a BAW delay line same operated at K band has been fabricated in this work. The operating center frequency of 23.8 GHz, insertion loss of 51.9 dB, bandwidth of 1 122 MHz, delay time of 299 ns, feed through suppression (FTS) of 29 dB and triple transmitting suppression (TTS) of 40 dB have been achieved.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

毛世平,李文豪,江洪敏,郑泽渔. K波段BAW器件技术研究[J].压电与声光,2018,40(3):313-315. MAO Shiping, LI Wenhao, JIANG Hongmin, ZHENG Zeyu. Study on K Band BAW Device Technology[J]. PIEZOELECTRICS AND ACOUSTOOPTICS

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2018-07-02
  • 出版日期: